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一种SRAM成品率专用测试结构的设计方法
作者：熊建，潘伟伟，史峥 日期：2011-06-07/span> 浏览：3861 查看PDF文档
一种SRAM成品率专用测试结构的设计方法
熊建，潘伟伟，史峥
（浙江大学 超大规模集成电路设计研究所，浙江 杭州 310027）
摘要：SRAM的成品率是半导体制造量产能否成功的关键。针对通用的工艺测试结构无法满足SRAM特殊要求的问题，阐述了一种SRAM成品率专用测试结构的设计方法。在SRAM原始版图的基础上改变设计以构造测试图形，并按阵列形式排布，有针对性地评估工艺环境造成的缺陷。研究结果表明该方法还原了产品电路的设计环境,能有效捕获违背SRAM特殊设计规则所造成的开路或短路缺陷，从而有助于快速修正设计误差，提升成品率。
关键词：静态随机存储器；成品率；测试结构
中图分类号：TN43文献标志码：A文章编号：1001-4551(2011)03-0381-04
本文的文献著录格式：
熊建，潘伟伟，史峥.一种SRAM成品率专用测试结构的设计方法[J],机电工程,2011,28(3):381-384.
XIONG Jian, PAN Weiwei, SHI Zheng.Design method of SRAMspecific test structure for yield improvement[J],
Journal of Mechanical & Electrical Engineering,2011,28(3):381-384.
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