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MOSFET反向恢复特性对临界导通 模式图腾柱Boost PFC的影响*

作者:赵臣凯,吴新科* 日期:2018-09-20/span> 浏览:43 查看PDF文档

                                                   MOSFET反向恢复特性对临界导通模式图腾柱Boost PFC的影响*
                                                                                赵臣凯,吴新科*
                                                            (浙江大学 电气工程学院,浙江 杭州 310027)



摘要:针对传统的临界导通模式计算方法没有考虑反向恢复,导致图腾柱Boost PFC实验结果与计算不符的问题,将线性拟合的方法应用到反向恢复的预测中。开展了考虑反向恢复的临界导通模式图腾柱Boost PFC的模态分析,建立了电感电流正向峰值和负向电荷之间的关系,提出了线性拟合实验测量结果从而预测反向恢复的方法;在600 W临界导通模式图腾柱Boost PFC上,对预测反向恢复的方法进行了评价,进行了反向恢复对PFC影响的试验。研究结果表明:该方法能精确计算临界导通模式图腾柱 Boost PFC的反向恢复,验证了反向恢复会显著增加电感电流,减小开关频率,并有助于拓展零电压开通范围。

关键词:图腾柱Boost PFC;临界导通模式;反向恢复

中图分类号:TM910.6                        文献标志码:A                                文章编号:1001-4551(2018)09-0981-05




本文引用格式:
赵臣凯,吴新科.MOSFET反向恢复特性对临界导通模式图腾柱Boost PFC的影响[J].机电工程,2018,35(9):981-985.
ZHAO Chenkai, WU Xinke. Influence of MOSFET reverse recovery on boundary conduction mode totem pole Boost PFC[J].Journal of Mechanical & Electrical Engineering, 2018,35(9):981-985.
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