MOSFET反向恢复特性对临界导通 模式图腾柱Boost PFC的影响*

作者：赵臣凯，吴新科* 日期：2018-09-20/span> 浏览：2074 查看PDF文档

                                                   MOSFET反向恢复特性对临界导通模式图腾柱Boost PFC的影响*
                                                                                赵臣凯，吴新科*
                                                            (浙江大学 电气工程学院,浙江 杭州 310027)

摘要：针对传统的临界导通模式计算方法没有考虑反向恢复，导致图腾柱Boost PFC实验结果与计算不符的问题，将线性拟合的方法应用到反向恢复的预测中。开展了考虑反向恢复的临界导通模式图腾柱Boost PFC的模态分析，建立了电感电流正向峰值和负向电荷之间的关系，提出了线性拟合实验测量结果从而预测反向恢复的方法；在600 W临界导通模式图腾柱Boost PFC上，对预测反向恢复的方法进行了评价，进行了反向恢复对PFC影响的试验。研究结果表明：该方法能精确计算临界导通模式图腾柱 Boost PFC的反向恢复，验证了反向恢复会显著增加电感电流，减小开关频率，并有助于拓展零电压开通范围。

关键词：图腾柱Boost PFC；临界导通模式；反向恢复

中图分类号：TM910.6                        文献标志码：A                                文章编号：1001-4551(2018)09-0981-05

本文引用格式：
赵臣凯，吴新科.MOSFET反向恢复特性对临界导通模式图腾柱Boost PFC的影响［J］.机电工程，2018，35(9)：981-985.
ZHAO Chenkai, WU Xinke. Influence of MOSFET reverse recovery on boundary conduction mode totem pole Boost PFC［J］.Journal of Mechanical & Electrical Engineering, 2018,35(9):981-985.
《机电工程》杂志：http://www.meem.com.cn