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基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究

作者:范鹏飞,肖龙,占金祥,陈浩,陈国柱* 日期:2017-05-26/span> 浏览:2444 查看PDF文档

基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究

范鹏飞,肖龙,占金祥,陈浩,陈国柱*

(浙江大学 电气工程学院, 浙江 杭州 310027)


 

 

摘要:针对传统有桥Boost功率因数校正电路效率不高的问题,分析了Boost 功率因数校正电路的基本结构以及控制方法,SiC器件的特点和发展历程,提出了使用SiC 器件来提升其功率密度的方案。介绍了功率因数校正电路中重要参数的设计,简述了一种适用于PFC功率电感的设计方法以及主要设计步骤,并分析了传统有桥功率因数校正电路的损耗分布情况。选取了数家公司生产的不同材料的MOSFET,搭建了对应的1.2 kW实验样机,并测量了各个样机效率。研究结果表明,在115 V交流输入下,相比infineon公司最新的具有超结结构的CoolMOS,ROHM公司的大电流Si MOSFET,使用SiC MOSFET能够提升有桥功率因数电路的工作效率。

关键词:功率因数校正;SiC器件;ACDC变换器

中图分类号:TM501+.1;TP461                        文献标志码:A                        文章编号:1001-4551(2017)04-0399-04

 

 

本文引用格式:

范鹏飞,肖龙,占金祥,等.基于SiC器件的高效率功率因数校正电源研究[J].机电工程,2017,34(4):399-402.

FAN Pengfei, XIAO Long, ZHAN Jinxiang, et al. High efficiency power factor correction power supply based on SiC device[J].Journal of Mechanical & Electrical Engineering, 2017,34(4):399-402.
《机电工程》杂志:http://www.meem.com.cn

 



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