基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的5 GHz低噪声放大器*

作者：南超州，虞小鹏* 日期：2012-09-11/span> 浏览：2630 查看PDF文档

基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的5 GHz低噪声放大器*

南超州，虞小鹏*
（浙江大学 超大规模集成电路研究所， 浙江 杭州 310027）

摘要： 针对5 GHz频段无线局域网通信标准的市场需求，提出了一种基于源端电感退化的低噪声放大器（LNA）。设计采用了新加坡特许半导体（CHRT）提供的0.18 μm 互补型金属氧化物半导体（CMOS）工艺库，并对设计结果进行了流片测试验证。重点分析了基于源端电感退化的低噪声放大器的关键参数与性能折中，包括输入噪声匹配、密勒效应（miller effect）对噪声性能造成的影响，以及解决方案等在射频低噪声放大器设计中至关重要的因素。研究结果表明，噪声系数（NF）、线性度以及增益等关键指标皆可满足5 GHz无线通信的需求；其中噪声系数（NF）在超低功耗条件下（Pcom < 4 mW），可以达到3 dB以下。
关键词： 无线局域网；互补型金属氧化物半导体；低噪声放大器；密勒效应消除
中图分类号： TN47；TM13       文献标志码：A  文章编号：1001-4551（2012）06-0714-04

本文的文献著录格式：

南超州,虞小鹏.基于CHRT 0.18 μm CMOS工艺的5 GHz低噪声放大器[J],机电工程,2012,29(6):714-717.
NAN Chao-zhou,YU Xiao-peng.5 GHz LNA based on CHRT 0.18 μm CMOS technology[J],Journal of Mechanical & Electrical Engineering,2012,29(6):714-717.