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基于SOI工艺的高压LED驱动设计
作者：诸剑慧，何乐年*，林玲 日期：2011-11-02/span> 浏览：2804 查看PDF文档
基于SOI工艺的高压LED驱动设计
诸剑慧，何乐年*，林玲
（浙江大学 超大规模集成电路设计研究所，浙江 杭州 310027）
摘要：为了解决LED驱动芯片因耐压低而在高压领域应用受限制的问题，将绝缘体上硅(SOI)技术应用到LED驱动的设计中，设计了一款基于SOI工艺的高压LED驱动芯片。首先提出了该驱动的系统框图，并介绍了其工作原理，然后对各重要模块进行了详细的介绍。该LED驱动输入电压范围为40 V~625 V，采用峰值电流模式控制，并提供线性与脉宽调制(PWM ) 两种调光方式，根据不同应用，外接的LED灯可达十几至上百个不等。采用XFAB 1 μm SOI工艺，并使用Cadence的Spectre系列软件进行了仿真。仿真与测试结果验证了该驱动的良好性能。该设计对基于SOI工艺的高压电源管理芯片的设计具有指导意义。
关键词：绝缘体上硅; 高压; LED驱动; 峰值电流模式；脉宽调制
中图分类号：TN433文献标志码：A文章编号：1001-4551(2011)08-1028-05
本文的文献著录格式：
诸剑慧,何乐年,林玲.基于SOI工艺的高压LED驱动设计[J],机电工程,2011,28(8):1028-1032.
ZHU Jianhui, HE Lenian, LIN Ling.Highvoltage LED driver based on SOI process[J],
Journal of Mechanical & Electrical Engineering,2011,28(8):1028-1032.
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